英伟达定制HBM计划促成罕见合作三星与台积电联手开发3纳米基底芯片

信息来源：cnBeta发布时间 2026/10/18 12:131 分钟阅读作者: ugmbbc

随着人工智能市场对高带宽内存（HBM）的需求不断攀升，英伟达正在推动一项前所未有的供应链整合计划。根据最新消息，英伟达为下一代AI加速器开发的定制高带宽内存NVHBM，将促使长期竞争的三星电子和台积电展开合作，共同打造基于3纳米工艺的基底芯片（Base Die）。阅读全文

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