长鑫G6内存面积再缩30% 键合工艺首次登场

信息来源：cnBeta发布时间 2026/10/12 06:461 分钟阅读作者: ugmbbc

国产DRAM厂商长鑫科技下一代内存技术平台G6的技术指标预测近日流出。该方案显示，长鑫将继续采用DUV光刻工艺生产G6代内存，预计最快于2028年推出，芯片单元面积将从G5代的0.00128205平方微米进一步缩减至0.000896平方微米，缩减幅度达30%。阅读全文

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