长鑫存储押注新型DRAM架构 有望比三星提前两年实现商用突破
中国存储芯片制造商长鑫存储（CXMT）正在加速推进下一代DRAM技术布局，并计划在今年年底前推出采用4F²存储单元架构的DDR5 RDIMM服务器内存产品。业内消息称，如果相关计划顺利落地，长鑫存储在这一关键技术路线上的商业化进度可能领先三星电子约两年，引发全球存储产业高度关注。 阅读全文
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